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onsemi NSVMMBTH10LT1G
| Artikelnummer: | NSVMMBTH10LT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.42 |
| 10+ | $0.339 |
| 25+ | $0.3104 |
| 100+ | $0.2311 |
| 250+ | $0.2094 |
| 500+ | $0.1733 |
| 1000+ | $0.13 |
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onsemi NSVMMBTH10LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NSVMMBTH10LT1G.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 25V Transistor-Typ NPN Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) Serie - Leistung - max 225mW Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Rauschzahl (dB Typ @ f) - Befestigungsart Surface Mount Gewinnen - Frequenz - Übergang 650MHz DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max) - Grundproduktnummer NSVMMBTH10 NSVMMBTH10LT1G Einzelheiten PDF [English] NSVMMBTH10LT1G PDF - EN.pdf -
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